IX2120BTR

功能描述:1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI

制造商:ixys integrated circuits division

系列:-

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

驱动配置:半桥

通道类型:独立式

驱动器数:2

栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET

电压 - 电源:15 V ~ 20 V

逻辑电压?- VIL,VIH:6V,9.5V

电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A

输入类型:非反相

高压侧电压 - 最大值(自举):1200V

上升/下降时间(典型值):9.4ns,9.7ns

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

供应商器件封装:28-SOIC

标准包装:1

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